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三星宣布完成5納米EUV工藝研發
關鍵字: 三星光刻光刻機導讀4月16日,三星官網發布消息稱,三星電子已經成功完成5納米(nm)極紫外光刻(EUV)開發,以實現芯片的更大面積擴展和帶來超低功耗。(觀察者網訊)4月16日,三星官網發布消息稱,三星電子已經成功完成5納米(nm)極紫外光刻(EUV)開發,以實現芯片的更大面積擴展和帶來超低功耗。
三星電子稱,其5nmFinFET工藝技術的開發已經完成,現在可以為客戶提供樣品。通過在其基于EUV的工藝產品中添加另一個尖端節點,三星稱再次證明了其在先進晶圓代工市場的領導地位。
與7nm相比,三星的5nm FinFET工藝技術將邏輯區域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,從而能夠擁有更多創新的標準單元架構。
三星稱,5nm的另一個主要優點是可以將所有7nm知識產權(IP)重用到5nm。因此,7nm客戶過渡到5nm將極大地受益于降低的遷移成本,預先驗證的設計生態系統,從而縮短他們的5nm產品開發時間。
“成功完成5nm開發,我們已經證明了我們在基于EUV的節點中的能力,”三星電子鑄造業務執行副總裁Charlie Bae說。“為響應客戶對先進工藝技術不斷增長的需求,以區分其下一代產品,我們繼續致力于加速基于EUV技術的批量生產。”
- 責任編輯:張建鑫
- 最后更新: 2019-04-16 13:50:52
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