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官宣,長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存量產(chǎn)
最后更新: 2019-09-02 09:07:49本文轉(zhuǎn)自微信公號(hào)“半導(dǎo)體行業(yè)觀察”
今日,長江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存。 ),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。 長江存儲(chǔ)一貫重視核心技術(shù)的自主研發(fā)和創(chuàng)新,Xtacking?技術(shù)的研發(fā)成功和64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)標(biāo)志著長江存儲(chǔ)已成功走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造的創(chuàng)新之路。
據(jù)介紹,長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品(特指截止目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND 閃存)中最高的存儲(chǔ)密度。 Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元,這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。 當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。 相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
作為集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer),長江存儲(chǔ)致力于為全球客戶提供完整的存儲(chǔ)解決方案及服務(wù),并計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品,以滿足數(shù)據(jù)中心,以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。
考慮到中國乃至全球的NAND Flash格局,長江存儲(chǔ)的這款新產(chǎn)品面世擁有極其重要的意義。
肩負(fù)中國NAND Flash破局的重任
過去幾年,因?yàn)榇鎯?chǔ)產(chǎn)品的大幅漲價(jià),讓大家正式認(rèn)識(shí)到存儲(chǔ)的重要性,但這是一個(gè)幾家廠商高度壟斷,而中國幾近空白的市場(chǎng)。
據(jù)資料顯示,三星,鎂光和SK海力士和東芝等幾家廠商幾乎壟斷了全球的NAND FLASH市場(chǎng)供應(yīng),其中三星則多年位居龍頭。
長江存儲(chǔ)就是為了打破這個(gè)局面而生的。
根據(jù)公司官網(wǎng)介紹,長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(“長江存儲(chǔ)”)于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。 長江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。 長江存儲(chǔ)在武漢、上海、北京等地設(shè)有研發(fā)中心,通過不懈努力和技術(shù)創(chuàng)新,致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。
在成立之后,公司一直進(jìn)展順利,2017年,長江存儲(chǔ)在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上,通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式,成功設(shè)計(jì)并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。
公司的發(fā)展歷程
在芯片技術(shù)發(fā)展的同時(shí),長江存儲(chǔ)在208年八月還推出了他們的其突破性技術(shù)——Xtacking?。 該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
據(jù)介紹,傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中,外圍電路約占芯片面積的20~30%,降低了芯片的存儲(chǔ)密度。 隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。 Xtacking?技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。
Xtacking?技術(shù)充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造,產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間可縮短三個(gè)月,生產(chǎn)周期可縮短20%,從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。 此外,這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。
長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示: “通過將Xtacking?架構(gòu)引入批量生產(chǎn),能夠顯著提升產(chǎn)品性能,縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期,從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展。 ”
關(guān)于未來的產(chǎn)能和一些規(guī)劃發(fā)展的時(shí)候,之前市場(chǎng)傳聞,長江存儲(chǔ)到2020明年年底,可以達(dá)到六萬片每月,公司也將在2020年跳過96層,直接進(jìn)入128層,但這都是市場(chǎng)傳言,并沒有準(zhǔn)確的消息來源。
不過長江存儲(chǔ)表示,今后,公司將持續(xù)投入研發(fā)資源,以通過技術(shù)和產(chǎn)品的迭代,使每一代產(chǎn)品都具備強(qiáng)勁的市場(chǎng)競爭力,更好地滿足全球客戶的需求。 “隨著5G,人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來,閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長。 長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力。 ”程衛(wèi)華強(qiáng)調(diào)。
日前,在紫光集團(tuán)宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后,紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱武漢新芯)宣布,聘請(qǐng)紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官(CEO)。
作為一個(gè)從1985年起就進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域,并歷任美國摩托羅拉半導(dǎo)體公司擔(dān)任研發(fā)主管,曾任聯(lián)華電子股份有限公司(UMC)首席運(yùn)營官、首席執(zhí)行官、副董事長等重要職務(wù)的芯片業(yè)界知名的領(lǐng)軍人物,孫世偉的加入,必將能給長江存儲(chǔ)帶來巨大利好。
讓我們展望長江存儲(chǔ)的美好未來。
標(biāo)簽 長江存儲(chǔ)- 原標(biāo)題:官宣,長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存量產(chǎn)
- 責(zé)任編輯: 呂棟 
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