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（觀察者網(wǎng)訊 文/一鳴）

中國每年進口集成電路超過3000億美元，其中存儲芯片就占了1/3，而這一市場基本壟斷在三星、東芝、美光、西數(shù)等美日韓公司手中，因此該領(lǐng)域也成為中國企業(yè)追趕的重點。

對此，對手卻頗為自信。9月30日，全球第二大NAND閃存芯片制造商東芝存儲技術(shù)執(zhí)行官柳茂知在接受采訪時表示:“對于新來者來說，在最近兩三年內(nèi)迎頭趕上并不容易。”

他是在深圳舉行的2019年中國閃存市場峰會上作出這番表態(tài)的，他認為，市場供應(yīng)過剩的局面已經(jīng)終結(jié)，此前的供應(yīng)過剩已將利潤率擠壓至10年來的最低水平。

東芝存儲技術(shù)執(zhí)行官柳茂知

東芝存儲預計，NAND市場供應(yīng)過剩將會緩解，目前該市場的規(guī)模是4060億美元。

柳茂知也沒有輕視中國公司的競爭，他提到東芝也將加速投資確保優(yōu)勢。“我不知道四五年后會發(fā)生什么，” 柳茂知說。“中國企業(yè)日后將在全球市場上擁有優(yōu)勢。但東芝存儲也將進行投資，以確保我們能夠長期參與競爭。”

對于未來的的閃存產(chǎn)品，柳茂知提出，現(xiàn)如今的系統(tǒng)將無法支持5G下爆炸性的數(shù)據(jù)增長及供應(yīng)量。從現(xiàn)有的大數(shù)據(jù)調(diào)研結(jié)果來看，未來的閃存產(chǎn)品將在移動設(shè)備，IOT設(shè)備中得到極為廣泛的應(yīng)用。未來存儲設(shè)備需要滿足高達100X速度提升，巔峰傳輸速度將達到10Gbit/s。

在這樣的應(yīng)用需求背景下，業(yè)界及市場對閃存存儲也提出了新的要求。以傳統(tǒng)的局域網(wǎng)絡(luò)傳輸應(yīng)用舉例，存儲設(shè)備的性能將從400Gbps提升至1.6Tbps；與之相對的，東芝存儲將在現(xiàn)有第四代96層BiCS閃存堆疊技術(shù)基礎(chǔ)上進行升級。

今年6月，東芝存儲以180億美元的價格出售給美國私募股權(quán)公司貝恩資本(Bain Capital)牽頭的財團。東芝存儲認為市場將在今年年底前有所改善，并預計復蘇將持續(xù)至2020年。

“價格下跌將停止，”營銷總經(jīng)理高橋俊和(Toshikazu Takahashi)表示。“從今年第四季度到明年，市場將更加平衡。”

這主要在于中國市場是全球增長最快的存儲芯片市場。高橋俊和還表示，包括下一代5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器所用芯片的需求不斷增長，以及個人電腦從硬盤驅(qū)動器向閃存固態(tài)硬盤轉(zhuǎn)變都會產(chǎn)生積極影響。

根據(jù)最新的報道，東芝將在日本四日市的閃存工廠增加3000億日元的投資，擴大閃存生產(chǎn)。

存儲芯片領(lǐng)域是國內(nèi)目前重點發(fā)展的半導體行業(yè)，通過近年努力，目前大陸制造半導體存儲器芯片已形成三大重心，分別是福建晉華、合肥長鑫與長江存儲，福建晉華與合肥長鑫主攻DRAM，位在武漢的長江存儲主打3DNAND快閃存儲器。其中，總投資高達240億美元長江存儲的進展最受外界關(guān)注。

伯恩斯坦研究公司(Bernstein Research)分析師馬克·李(Mark Li)就曾表示:“中國確實有推動其存儲芯片行業(yè)發(fā)展的雄心，中國市場最大的競爭對手是長江存儲。”

9月2日，長江存儲宣布，其已開始量產(chǎn)國內(nèi)首個64層堆棧的3D閃存，該芯片采用了自研Xtacking架構(gòu)，核心容量256Gb。

該公司表示，該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。與目前業(yè)界已上市的64、72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲密度。

去年有報道稱，全球最大的閃存買家蘋果對長江存儲進行過調(diào)研，評估其作為潛在供應(yīng)商的情況。

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