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美光擴建NAND閃存工廠但不增產 128層閃存有重大變化
關鍵字: 閃存本文來自:快科技
日前美光公司在新加坡舉行了Fab 10A工廠啟用慶典,包括美光CEO Sanjay Mehrotra在內的高層及合作伙伴、供應商、經銷商等500多人參加了活動。
除了美國本土之外,美光公司在新加坡有編號Fab 10的NAND工廠,2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心,又擴建了Fab 10晶圓廠的生產能力,新蓋了無塵室等生產設施,提高了Fab 10晶圓廠的生產靈活性。
不過在目前NAND閃存價格持續下滑的情況下,美光雖然擴建了新加坡的Fab 10A工廠,但并不打算增產NAND,通過資本開支調整、技術轉換等方式,Fab 10廠區的總產能不變。
美光CEO Sanjay Mehrotra還提到了美光NAND閃存路線圖的變化,目前96層堆棧的3D閃存已經量產,而在第四代3D閃存上會有重大變化,128層堆棧閃存將會從此前的FG浮柵極技術轉向RG替換柵極技術。
在2D閃存時代,各大廠商基本上都是以FG浮柵極技術為主,轉向3D閃存之后三星率先使用了CTP電荷陷阱技術,其他廠商也陸續跟進,只有美光、Intel有所不同,雙方在3D閃存技術發展上也產生了分歧,據說這就是兩家公司在96層堆棧3D閃存之后決定分手、互相獨立研發生產的關鍵,Intel會繼續堅持浮柵極。
在美光之外,其他家閃存廠目前沒有聽說采用RG可替換柵極技術的。
標簽 工廠- 原標題:美光擴建NAND閃存工廠但不增產 128層閃存有重大變化
- 責任編輯:呂棟
- 最后更新: 2019-08-15 13:08:03
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