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英特爾是美國芯片法案的最重要組成部分，但也是最大風險的存在。他們似乎沒有能力與動力去尋求建設龐大的產能，英特爾現在急需擺脫的就是制造而非加強它。英特爾不可能把手上這些項目落實，它根本沒有這種需求，作者從去年就一直強調我在等待英特爾剝離制造工廠那一天的到來，筆者諸多文章也都篤定地認為剝離制造是英特爾的唯一出路，我想有可能今明年英特爾就會做出決定。

美國芯片法案第二大受惠者為美光，預計在紐約州以及愛荷達州總共1250億美元的總投資，拿到了61億直接補貼與75億的貸款。作為美國企業，美光拿到第二多的補貼并不意外，在存儲芯片落后于韓國三星與海力士的美光，想要依靠一百多億的補貼改變行業格局似乎不太容易，總金額上千億美元或許是一個跨度在5年以上的投資周期。

臺積電預計在亞歷桑納建設三座工廠，總投資額650億美元，獲得66億直接補貼以及50億美元低息貸款，是美國芯片法案第三受惠者，也是獲得補貼最多的非美國本土企業。

與英特爾大部分項目還是一片黃土截然不同，臺積電亞利桑那的第一座工廠（Fab21A）2021年初動土，2022年底move in設備，盡管工期經歷許多問題導致延誤，因為客戶需求滿滿，臺積電還是不計代價地推進項目，預計2025年第二季度量產出貨，第二座工廠也于今年開始土建。在吸取第一座工廠教訓與經驗后，預計在2025年封頂，2026年move in，2027年生產3nm芯片，筆者以為踩過第一座工廠的各種坑以后，臺積電的建廠小組在美國將會越發如魚得水，運營團隊也同時在積累經驗，需要克服的重點沒有其他，就是臺美兩地員工的文化與工作方式。

總投資額450億美元的三星則獲得了與臺積電接近的64億美元直接補貼，根本沒有客戶投片的三星德州工廠同樣是步履蹣跚，量產時間預計比臺積電晚兩年到2027年，并且可以肯定的是極有限的產能建置。

芯片法案覆蓋了半導體制造工廠成本的一半

德國作為歐洲半導體的最后堡壘，在這波的芯片補貼競爭中也下了血本，對臺積電補貼達50億歐元，占臺積電德國廠總投資額的50%，雖然總金額不如美國，但是補貼比例卻大幅度超越美國。

但除了臺積電，德國針對半導體復興計劃的其他補貼卻不盡如人意，先前包括英特爾、GF等多家大廠，陸續宣布歐洲建廠大計：英特爾在德國馬德堡計劃新建2座晶圓廠，將采用Intel 20A制程，投資金額高達300億美元，德國政府也預期會給予三分之一的補貼金，同時在波蘭弗羅茨瓦夫興建半導體組裝和測試工廠。

而GF與意法半導體攜手在法國打造18nm工廠，鎖定汽車、物聯網和工業領域；英飛凌在德國投資50億歐元建廠，計劃2026年投產；碳化硅大廠Wolfspeed宣布在德投資超過20億歐元建置8吋SiC晶圓廠，預計2027年投產。

盡管歐盟與德國提供補貼建廠，但受到歐洲經濟疲弱，俄烏與以巴等多國交戰影響甚巨，加上車用市場需求低迷，如Wolfspeed宣布延遲在德國建廠。另陷營運低谷的英特爾，馬德堡廠原定于2024年動土，現已推遲至2025年，其他業者的建廠進度也都未有明確消息。

也就是說除了臺積電德國工廠以外，近幾年計劃在歐洲投資的芯片項目幾乎沒有進展，臺積電成了歐盟半導體自主大計的唯一救贖。日本可以說是臺積電海外建廠最為順利的國家，熊本縣菊陽町的第一工廠投資額約為86億美元，日本政府提供4760億日元（33億美元）補貼。第二工廠投資額約120億美元，7500億日元（52億美元）補貼，也就是臺積電在日本總投資額200億美元，日本政府提供了85億的補貼，補貼比例超過40%，略低于德國的50%補貼占比。

臺積電熊本工廠晚于亞利桑那工廠大半年于2021年下半年開始建設，卻準備在2024年底正式量產，量產時間快于美國工廠接近半年，也就是說整體進度快于美國工廠一年左右，當然熊本一廠主要是28~12nm的成熟制程，產線調整確實相對容易一些。

臺積電在日本建廠的速度與效率令人感嘆， 比較美日德三地的經驗，根本原因還是在于歐美與東亞的文化差別。

臺積電海外建廠問題

對臺積電來說，海外建廠營運難度最高的是美國，除了建廠與營運金額巨大外，政府態度、地方支持與強勢工會等問題不斷。

而德國雖然面臨的問題也是成本高、 強悍工會、工作文化與缺人等，但政府的支持度不輸日本，眼見臺積電熊本廠的建置高效率與對經濟的帶動，以及美廠的錯誤范例后，歐盟與德國全力相挺臺積電建廠，補助金與水電、土地、交通基礎建設與長期人才扎根等。

除了日本，臺積電美德建廠計劃自宣布以來頻遭市場看衰，除了成本高昂、人力短缺外，工作文化、勞動條件、半導體法令政策大不同，以及工會勢力強大都是難以克服的關卡。

總結為以下四點

一、生產成本方面：臺積電擬定多項解套策略，除取得當地政府基本水電與土地補助與減稅為基本條件外，過半建廠補助及來自合資伙伴的長約簽訂也是關鍵。

如同日本熊本廠同時采行蘋果主力供應鏈商Sony、豐田旗下零組件廠電裝（Denso）等合資，確保產能利用率與獲利可維持一定水平。

對于未來海外工廠陸續投產，臺積電已表態，長期毛利率目標53%以上不變。也就是臺積電海外代工價格將調漲，成本轉嫁至客戶，針對海外代工費的調漲，美系大客戶基本都以認可3%—5%左右的漲幅。

眾所周知，半導體尤其是先進制程是高資本、高技術、高毛利的三高行業，行業特性決定人工與材料對于芯片制造來說是次要成本，最大成本是設備折舊。臺積電一般采取五年的折舊攤提，以臺灣的工廠來說，5/3nm綜合的每片設備折舊成本大約在7500美元，美國工廠因為建設費用大幅增加， 在沒有補貼的情況下4/3nm的折舊成本為9722美元，有補貼則降到了8000美元/wafer的水平，每片成本減少了1722美元，僅比臺灣高出500美元/片，如此看來補貼確實是影響獲利與否的關鍵因素。

芯片制造的第二大成本為硅片、特氣、光罩、化學品等原材料 ，加上生產環節的各種損耗與維護等其他費用，5/3nm的綜合原材料成本大約為每片3300美元，美國工廠的原材料須由Vendor從臺灣或日本運至美國，或者由Vendor在美國興建配套工廠，但因美國工資高于亞洲，所以原材料整體會比臺灣高15%~20%左右。

至于第三大成本的人工費用，我們以美國廠需要4500名工程師以及管理與財務等非生產人員，每人平均13.5萬美元年薪以滿產來計算，每萬片人數配置比臺灣高1.2倍，則每片人工成本落在943美元，比臺灣高出1.67倍。但在總生產成本上卻只是4%或7%的區別，在薪資以及人力配置均高出臺灣的情況下，美國工廠的人力成本接近臺灣兩倍，即便如此在總生產成本的占比也很低。