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在過去數十年中，盡管三星在存儲芯片、手機設備等多個領域成為全球主導者，但是這種主導更多來自于規模，而非技術的絕對先進。這也是整個韓國高科技產業的普遍寫照。

逆周期投資，則是三星取得規模優勢的最大法寶。

以存儲芯片為例，上世紀80年代，日本企業曾經壟斷了全球90%的市場份額，NEC、東芝、日立等日企，不僅技術領先，而且產品價格還更便宜，迅速將美國企業擠出市場。1985年，英特爾不得不徹底退出DRAM生產。

不過，日系芯片的崛起先是引爆了日美企業之間的價格戰，DRAM價格從1984年初的4美元/片一路下滑到1985年的30美分/片。在英特爾等美企失敗后，日本很快又招來了美國報復，日元升值直接導致日本國內制造業成本飆升。

80年代存儲芯片價格走勢國信證券

雙重打擊下，日本芯片行業同樣也陷入虧損泥潭。

此時，以三星為代表的韓國企業卻頂住虧損，開始逆周期投資，持續擴大產能。因此，到1987年芯片價格開始回升之后，韓國企業憑借巨大的低端芯片產能快速搶占市場。而三星真正在技術上走到世界一流水平，已經是90年代之后的事情了。

全球DRAM芯片競爭格局國信證券

HBM芯片的誕生同樣體現了日韓半導體企業的鮮明對比。

最早嘗試將HBM芯片商業化的，是日本企業爾必達。爾必達成立于1999年，由日立和NEC的存儲部門合并而來，原本寄托了日本重振半導體產業的希望。

在意識到無法在規模上對抗三星之后，爾必達試圖用先進技術作為立身之本，于2011年率先推出3D堆疊的DRAM芯片，也就是后來才被人命名的HBM芯片。

但是造化弄人，2012年，還沒等這款芯片量產，爾必達就因為金融危機后的財政困難而宣告破產，后被美光收購。

當時爾必達高管只能哀嘆，“為什么不能再等6個月。”

爾必達的怨念是有理由的。作為對比，當時同樣深陷危機的韓國存儲巨頭海力士，就得到了政府的強力金融支持，最終熬過難關，成為此后HBM芯片的領頭羊。

2021年，美光也利用爾必達的遺產，在日本建設了最先進的廣島工廠，將生產1γ制程的DRAM和HBM芯片。

韓國人又一次用逆周期投資戰勝日本，而日本這次失去的，是整個AI時代的巨大紅利。

三星此次走向罷工，恐怕多多少少也與逆周期策略相關。

盡管去年出現巨額虧損，三星仍然保持了極高的投資水平，全年資本支出合計53.1萬億韓元（約合383億美元），其中90%以上投向半導體制造部門。平澤工廠是這筆投資的主要流向，無論是HBM、DDR5等先進內存芯片，還是5nm的晶圓代工，都對三星意義重大。

TechInsights機構數據顯示，過去十年間，三星一直位居全球半導體資本支出首位。今年，三星還有意收購大陸集團的汽車電子業務。

財務上剛剛失血嚴重的三星，此時對員工福利的保守也就可以理解。

但問題在于，三星這套逆周期投資的路徑，未來還能否走得通？

一方面，此時的三星已非當年吳下阿蒙。過去三星可以靠中低端市場攻城略地，再逐步跟上先進技術的腳步。現在，三星卻需要自己承擔先進技術的研發。

而研發不是靠加班文化就能解決的。今年2月，韓媒曾經傳出三星3nm晶圓代工良率為0的驚悚新聞。在先進制程的競爭中，三星一直落后于臺積電。

另一方面，中國企業開始用三星當年的方式來打敗三星。在液晶面板領域，京東方已經在全方位顛覆三星的領先地位。

此外，隨著韓國政治和民意風向的變化，韓國政府也再難給出當年那樣優厚的政策來扶持本土財閥。

此時的三星帝國，仿佛走到了中年的十字路口。當自己已經站得足夠高，也意味著繼續向上的難度無限加大，而在奮斗年代透支的身體，如今開始吃不消了，隨時可能向下滑落。

說到底，高激勵下的人力資源紅利，只能在經濟快速上升時期奏效。一旦增速停滯，分配上的不公平就會顯現出來。

對于韓國來說，三星和SK海力士雙雄，讓他們在存儲芯片領域仍然占據著絕對優勢。美光的HBM計劃能走多遠尚不可知，中國最早的HBM產線也要在2026年才能投產。

但如果不能找到一條新的技術創新路徑，盛世的崩塌恐怕也非天方夜譚。

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